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文档摘要

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压接式IGBT封装技术：原理、应用与未来发展趋势

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电力电子领域，绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）凭借其卓越的性能，成为了核心器件之一。IGBT是一种由双极型晶体管（BipolarJunctionTransistor，BJT）和绝缘栅型场效应管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，它融合了MOSFET的高输入阻抗、高速开关特性以及BJT的低饱和电压、大电流处理