基本信息
文件名称：集成电路工艺第一章硅集成电路衬底加工技术.ppt
文件大小：7.66 MB
总页数：87 页
更新时间：2025-09-17
总字数：约1.13万字
文档摘要
腐蚀工序目的：去除表面因加工应力而形成的损伤层及污染（损伤层和污染部分约15um）化学腐蚀种类：酸性腐蚀及碱性腐蚀腐蚀方式：喷淋（spray）及浸泡（batch）酸性腐蚀酸性腐蚀原理及加工条件：腐蚀液－由不同比例的硝酸、氢氟酸及缓冲酸液等组成。硝酸为氧化剂，氢氟酸为络合剂。HF：HNO3约0.05～0.25，腐蚀温度18~24℃，以减少金属扩散进入晶片表面的可能性。氧化：Si+2HNO3----SiO2+2HNO22HNO2------NO+NO2+H2O络合SiO2+6HF-----H2SiF6（可