反应磁控溅射制备掺杂ZnO透明导电氧化物薄膜的多维度研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电子学领域，透明导电氧化物（TCO）薄膜因其独特的高光学透明性和良好的导电性，成为了众多光电器件不可或缺的关键材料，广泛应用于平板液晶显示器、发光器件、薄膜太阳能电池、表面声波器件和红外探测器等诸多领域。在众多TCO薄膜材料中，铟锡氧化物（ITO）曾凭借其优异的综合性能，在很长一段时间内占据着主导地位。然而，随着对TCO薄膜需求的不断增长以及铟资源的日益稀缺，寻找一种性能优异且资源丰富的替代材料迫在眉睫。

氧化锌（ZnO）作为一种具有纤锌矿晶体结构的直接宽带隙半导体材料，近年来备受关注，