基本信息

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文档摘要

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本征及掺杂氧化锌的制备工艺与光电性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广袤领域中，氧化锌（ZnO）凭借其独特而卓越的性能，占据着举足轻重的地位，宛如一颗璀璨的明星，吸引着全球科研工作者的目光，成为材料科学领域的研究焦点之一。

氧化锌是一种多功能的宽带隙氧化物半导体材料，其室温下的禁带宽度高达3.37eV，激子结合能更是达到了60meV。这一特殊的能带结构，赋予了氧化锌许多优异的物理性质。例如，由于其较宽的直接带隙，使得氧化锌在紫外光区域展现出良好的光学响应，能够敏锐地捕捉紫外光信号，这一特性使其成为制造紫外光探测器的理想材料。与传统的探测器相比，基于氧化锌的紫