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文档摘要

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大面积氧化钨冷阴极纳米材料：制备工艺与性能关联探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的背景下，场发射技术作为一种重要的电子发射方式，在平板显示器、微波放大器、X射线管以及真空微电子设备等众多领域展现出了广泛的应用前景。场发射电子源的性能优劣直接影响着这些设备的工作效率、稳定性以及整体性能。随着对电子器件小型化、高性能化的追求不断提升，寻找性能优异的冷阴极材料成为了该领域的研究热点之一。

近年来，金属氧化物纳米线因其独特的物理性质和结构特点，被发现有望作为冷阴极材料应用在场发射领域。在众多金属氧化物中，过渡族金属氧化物如氧化钨和氧化钼的场发射特性尤为引人注目。氧化钨（WO_