全透明过渡金属氧化物赋能电阻式非挥发性记忆体：特性、机制与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息时代，数据量呈爆炸式增长，从日常的智能手机使用产生的海量照片、视频和通信记录，到企业运营中积累的大量商业数据，再到科研领域如天文观测、生物基因测序产生的巨量数据，这些数据的存储与管理成为了关键问题，对存储器件的性能提出了前所未有的高要求。存储器件不仅需要具备大容量、高速度的特性，以满足数据快速读写的需求，还需实现低功耗，降低能源消耗，同时要不断缩小体积，以适应电子设备小型化、便携化的发展趋势。

电阻式非挥发性记忆体（RRAM）作为一种新型存储技术，在这一背景下脱颖而出，受到了广泛关注