模拟电子技术基础知识汇总
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模拟电子技术基础知识汇总
模拟电子技术
第一章半导体二极管
一.半导体的基础知识
1.半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅、锗)。
2.特性光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性
*载流子的浓度多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7.结
*结的接触电位差硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
*结的单向导电性正偏导通，反偏截止。
8.结的伏安特性
二.半导体二极管
*单向导电性正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性同ＰＮ结。
*正向导通压降硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:
若V阳V阴(正偏)，二极管导通(短路);
若V阳V阴(反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法
该式与伏安特性曲线
的交点叫静态工作点Q。
2)等效电路法
直流等效电路法
*总的解题手段将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:
若V阳V阴(正偏)，二极管导通(短路);
若V阳V阴(反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型
微变等效电路法
稳压二极管与其稳压电路
*稳压二极管的特性正常工作时处在结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管与其基本放大电路
一.三极管的结构、类型与特点
1.类型分为和两种。
2.特点基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触
面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。
二.三极管的工作原理
1.三极管的三种基本组态
2.三极管内各极电流的分配
*共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件
式子称为穿透电流。
3.共射电路的特性曲线
*输入特性曲线同二极管。
*输出特性曲线
(饱和管压降，用表示
放大区发射结正偏，集电结反偏。
截止区发射结反偏，集电结反偏。
4.温度影响
温度升高，输入特性曲线向左移动。
温度升高、、以与β均增加。
三.低频小信号等效模型（简化）
输出端交流短路时的输入电阻，
常用表示；
输出端交流短路时的正向电流传输比，
常用β表示；
四.基本放大电路组成与其原则
1.、、、、C1、C2的作用。
2.组成原则能放大、不失真、能传输。
五.放大电路的图解分析法
1.直流通路与静态分析
*概念直流电流通的回路。
*画法电容视为开路。
*作用确定静态工作点
*直流负载线由确定的直线。
*电路参数对静态工作点的影响
1）改变：Q点将沿直流负载线上下移动。
2）改变：Q点在所在的那条输出特性曲线上移动。
3）改变：直流负载线平移，Q点发生移动。
2.交流通路与动态分析
*概念交流电流流通的回路
*画法电容视为短路,理想直流电压源视为短路。
*作用分析信号被放大的过程。
*交流负载线连接Q点和V’点V’=L’的
直线。
3.静态工作点与非线性失真
（1）截止失真
*产生原因点设置过低
*失真现象管削顶，管削底。
*消除方法减小，提高Q。
（2）饱和失真
*产生原因点设置过高
*失真现象管削底，管削顶。
*消除方法增大、减小、增大。
4.放大器的动态范围
（1）是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。
（2）范围
*当（－）＞（’－）时，受截止失真限制，22’。
*当（－）＜（’－）时，受饱和失真限制，22（－）。
*当（－）＝（’－），放大器将有最大的不失真输出电压。
六.放大电路的等效电路法
静态分析
（1）静态工作点的近似估算
（2）Q点在放大区的条件
欲使Q点不进入饱和区，应满足＞β。
放大电路的动态分析
*放大倍数