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文件名称:多层氧化铝陶瓷金属化工艺技术的深度剖析与创新研究.docx
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更新时间:2025-09-19
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文档摘要

多层氧化铝陶瓷金属化工艺技术的深度剖析与创新研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子领域,随着科技的飞速发展,对电子器件的性能要求日益严苛,不仅需要具备更高的集成度、更小的体积,还要求有更稳定的性能和更强的适应性。在这样的背景下,多层氧化铝陶瓷凭借其独特的性能优势,逐渐成为电子领域中不可或缺的关键材料,在集成电路基板、电子封装、传感器等诸多核心部件中都有着广泛应用。

氧化铝陶瓷是一种以氧化铝(Al_2O_3)为主要成分的无机非金属材料,根据其纯度可分为高纯型和普通型。高纯氧化铝陶瓷的Al_2O_3含量在99.9%以上,其烧结温度高达1650-1990℃,透射波长处于1