Cd:O共掺杂AlN的电子结构与p型特性：理论与实证研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体材料的研究领域中，氮化铝（AlN）以其独特而卓越的物理性质，成为了众多科研工作者关注的焦点，展现出了极为广阔的应用前景。AlN作为一种重要的III-V族化合物半导体材料，拥有约6.1-6.2eV的宽带隙，这一数值远远超过了硅（约1.1eV）的带隙宽度。较大的带隙使得AlN在常温下具备良好的绝缘性，同时决定了其在半导体特性方面的诸多优势，如可在深紫外区域发光，这一特性使其在紫外发光二极管（UVLEDs）中得到了广泛应用，成为某些光电器件的理想基板材料。此外，AlN