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文档摘要

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ZnO基薄膜和器件的制备工艺与性能优化研究

一、引言

1.1ZnO基薄膜和器件研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，半导体材料作为现代电子学和光电子学的基石，其性能和应用范围不断拓展。其中，ZnO作为一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料，凭借其独特的物理性质和显著优势，在众多领域展现出了巨大的应用潜力，成为了科研领域的研究热点。

ZnO具有一系列优异的特性。从晶体结构来看，其为六方纤锌矿结构，这种结构赋予了ZnO一些特殊的物理性质。在光学方面，室温下ZnO的禁带宽度高达3.37eV，激子束缚能更是高达60meV，远高于其他常见的宽禁带半导体材料，如GaN的