2025年5G基站芯片3nmGAAFET技术路线图及专利布局研究模板范文

一、标题：2025年5G基站芯片3nmGAAFET技术路线图及专利布局研究

1.1芯片技术发展趋势

1.23nmGAAFET技术特点

1.2.1更高的晶体管密度

1.2.2更低的漏电流

1.2.3更高的性能

1.3技术路线图

1.3.1研发阶段

1.3.2设计阶段

1.3.3制造阶段

1.3.4应用阶段

1.4专利布局

1.4.1GAAFET晶体管结构及其制造方法

1.4.23nm工艺节点的制造工艺

1.4.35G基站芯片设计

1.4.43nmGAAFET技术相关应用

二、3nmGAAFET