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文件名称:基于GaAs HEMT的低噪声放大器的创新设计与性能优化研究.docx
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总页数:27 页
更新时间:2025-09-21
总字数:约3.38万字
文档摘要
基于GaAsHEMT的低噪声放大器的创新设计与性能优化研究
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代通信、雷达、电子对抗等领域,信号的有效处理和传输至关重要。低噪声放大器(Low-NoiseAmplifier,LNA)作为信号链的前端关键组件,其性能直接影响到整个系统的灵敏度、信噪比和动态范围。随着无线通信技术从4G向5G乃至未来6G的演进,以及雷达系统向更高分辨率、更远探测距离的发展,对低噪声放大器的性能提出了更为严苛的要求。
在通信系统中,基站和移动终端需要接收来自空中的极其微弱的信号,这些信号在传输过程中会受到各种噪声的干扰,如热噪声、散粒噪声等。低噪声放大器的作用就是在