硅基稀土掺杂氧化物半导体薄膜电致发光器件的性能优化与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的今天，半导体材料作为现代电子产业的基石，扮演着至关重要的角色。硅基半导体凭借其丰富的储量、成熟的制备工艺以及良好的兼容性，成为了集成电路、光电器件等领域的核心材料，构建起了信息时代的硬件基础。从最初的晶体管到如今高度集成的大规模集成电路，硅基半导体推动着电子产品不断朝着小型化、高性能化方向发展，广泛应用于计算机、通信、消费电子等各个领域，深刻改变了人们的生活和工作方式。

然而，随着科技的不断进步，对半导体器件性能的要求日益严苛，传统硅基半导体在发光效率、发光波长范围等方面逐渐暴