Ga-N共掺实现p型ZnMgO薄膜的特性与制备工艺研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着光电器件技术的飞速发展，对新型半导体材料的需求日益迫切。ZnMgO薄膜作为一种重要的宽禁带半导体材料，在光电器件领域展现出了巨大的应用潜力。其禁带宽度可在3.37-7.8eV之间连续调节，这使得它在短波长光电器件，如紫外发光二极管（UV-LED）、紫外探测器、蓝光激光器等方面具有独特的优势。在紫外探测器中，ZnMgO薄膜能够对紫外光产生快速且灵敏的响应，为环境监测、生物医学检测等领域提供了关键的技术支持。在蓝光激光器中，其宽禁带特性有助于实现高效的蓝光发射，推动了光通信、光存储等领域的发