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文档摘要

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退火方式对NiSiC欧姆接触性能影响的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的杰出代表，凭借其卓越的物理特性，正逐渐成为材料科学与工程领域的研究焦点。SiC具备禁带宽度大、击穿电场强度高、电子饱和漂移速度快以及热导率良好等显著优势，这些特性使得SiC在高温、高频、高功率电子器件领域展现出传统半导体材料难以企及的应用潜力。

从应用前景来看，SiC器件在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域发挥着不可或缺的作用。在新能源汽车中，SiC功率器件被广泛应用于主驱逆变器、DC/DC转换器、车