扫描电子显微学中二次电子产生的MonteCarlo模拟研究

一、引言

1.1研究背景与意义

扫描电子显微学（ScanningElectronMicroscopy，SEM）作为材料科学、生物学、地质学等众多领域中不可或缺的分析技术，能够为研究人员提供材料表面微观结构的高分辨率图像。在SEM成像过程中，二次电子（SecondaryElectron，SE）成像发挥着至关重要的作用。二次电子是被高能入射电子束轰击出来的试样中的核外电子，主要来自于距试样表面1-10nm之间深度的亚表面，能量在0-50eV之间，平均能量约30eV。由于其产生区域与入射束的束斑直径差别不大