射频反应磁控溅射ZnO薄膜能带工程：影响因素与调控策略探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代材料科学与光电子技术领域，半导体薄膜材料凭借其独特的物理性质和广泛的应用前景，一直是研究的热点。ZnO薄膜作为一种重要的宽禁带半导体材料，近年来受到了科研人员的高度关注。其室温下的禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV，这赋予了ZnO薄膜在光电器件应用中的巨大潜力。

从光电子学的角度来看，ZnO薄膜的宽禁带特性使其能够有效地发射和探测紫外光。在紫外探测器领域，ZnO薄膜可以对紫外线进行高效的光电转换，实现对紫外线的灵敏检测。这在环境监测、生物医学检测以及防伪技术