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文件名称:3nm以下GAAFET工艺研发进展及2025年产业趋势深度分析报告.docx
文件大小:46.31 KB
总页数:21 页
更新时间:2025-09-23
总字数:约1.28万字
文档摘要

3nm以下GAAFET工艺研发进展及2025年产业趋势深度分析报告模板

一、3nm以下GAAFET工艺研发进展概述

1.1研发背景

1.2研发现状

1.2.1材料创新

1.2.2器件结构优化

1.2.3工艺流程优化

1.3研发挑战

1.4发展趋势

二、3nm以下GAAFET工艺关键材料与技术

2.1关键材料

2.1.1高迁移率硅(HMS)

2.1.2新型绝缘材料

2.1.3掺杂材料

2.2关键技术

2.2.1高分辨率光刻技术

2.2.2蚀刻技术

2.2.3离子注入技术

2.3技术挑战

2.4未来发展趋势