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文件名称:硅基ZnO(MgZnO)薄膜及发光器件的制备与性能研究.docx
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总页数:37 页
更新时间:2025-09-23
总字数:约4.88万字
文档摘要
硅基ZnO(MgZnO)薄膜及发光器件的制备与性能研究
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代光电子领域,随着信息技术的飞速发展,对高性能光电子器件的需求日益增长,硅基ZnO(MgZnO)薄膜及发光器件凭借其独特的物理性质和潜在的应用价值,成为了研究的焦点。
ZnO是一种具有六方纤锌矿结构的直接带隙宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度约为3.37eV,激子束缚能高达60meV。相比其他宽禁带半导体材料,如GaN(激子束缚能为25meV),ZnO的高激子束缚能使得其在室温下能够更有效地实现激子复合发光,从而在紫外光发射器件领域展现出巨大的潜力。此外,ZnO还具有良好的化学稳定性