壳聚糖栅介质赋能低压氧化物薄膜晶体管的性能优化与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子技术的持续发展进程中，薄膜晶体管（Thin-FilmTransistor，TFT）作为关键的电子器件，在显示、传感及集成电路等诸多领域都有着极为广泛的应用。其中，氧化物薄膜晶体管（OxideThin-FilmTransistor，OTFT）凭借高电子迁移率、优异的环境稳定性、出色的光学透明度以及大面积均匀性等一系列独特优势，已然成为当下研究的热点领域。

自20世纪60年代金属氧化物薄膜晶体管的概念被提出以来，该领域历经了漫长的发展过程。早期，由于金属氧化物材料存在不稳定、低导电性