超深亚微米铝互连线电迁移可靠性：制造工艺的多维度影响与优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

在微电子领域不断发展的进程中，集成电路的特征尺寸持续缩小，逐渐迈入超深亚微米时代。超深亚微米铝互连线作为集成电路中实现电子元件电气连接的关键部分，在确保芯片性能和可靠性方面发挥着举足轻重的作用。随着芯片集成度的不断提高，互连线的长度和密度大幅增加，铝互连线所承载的电流密度也随之显著增大，这使得电迁移现象成为影响超深亚微米铝互连线可靠性的关键因素之一。

电迁移是指在电流的作用下，金属原子发生定向迁移的现象。当超深亚微米铝互连线中出现电迁移时，金属原子的迁移会导致互连线中产生空洞或晶须。这些空洞和晶须