AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管模型：原理、构建与应用前景

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体技术不断演进的历程中，AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）凭借其卓越的性能优势，逐渐崭露头角，成为了现代半导体领域的关键研究对象，在高频、高功率和低噪声应用等方面展现出了广泛的应用前景。

AlGaN/GaNHEMT基于第三代宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）与氮化铝镓（AlGaN）的异质结结构，这种独特的材料组合赋予了器件诸多优异特性。与传统的硅基半导体器件相比，GaN材料具有大禁带宽度（3.4eV），这使得AlGaN/GaNHEMT能够在更高的温度下稳定工作，同