PAGE11

单晶硅裂纹萌生刻划深度研究案例概述

目录

TOC\o1-3\h\u24248单晶硅裂纹萌生刻划深度研究案例概述 1

260851.1引言 1

265941.2单晶硅刻划裂纹萌生的理论分析 1

171041.2.1玻氏压头法向刻划力分析 1

227881.2.2刻划应力 4

11231.2.3玻氏压头的等效简化 7

203541.3裂纹萌生深度的计算及分析 8

1.1引言

临界切削深度可以用于判断材料去除模式[51]，当刻划深度比单晶硅得到临界切削深度低时，其材料去除模式为塑性域去除；反之，则单晶硅的材料去除