离子注入对4H-SiCMOS界面特性影响的深度剖析与优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代科技的飞速发展，对半导体材料和器件的性能要求日益提高。碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，凭借其出色的物理和电学特性，在众多领域展现出巨大的应用潜力。与传统的硅（Si）材料相比，SiC具有宽带隙、高击穿电场、高热导率和高电子饱和漂移速度等显著优势。这些特性使得SiC成为制备高温、高频、大功率半导体器件的理想材料，在新能源汽车、智能电网、航空航天、轨道交通等领域具有广泛的应用前景。

在SiC材料体系中，4H-SiC由于其独特的晶体结构和电学性能，成为目前研究和应用最为