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文档摘要

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宽带隙氧化锌与氧化镓干法刻蚀特性及影响因素的对比探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子器件领域，宽带隙半导体材料由于其独特的物理性质，正逐渐成为研究的焦点和推动行业发展的关键力量。与传统的硅基半导体材料相比，宽带隙半导体材料拥有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场强度、更好的热稳定性以及较高的电子饱和漂移速度等优异特性。这些特性使得它们在高温、高频、高功率以及抗辐射等极端条件下的应用中展现出巨大的潜力，为电子器件的性能提升和功能拓展提供了新的可能。

氧化锌（ZnO）和氧化镓（Ga?O?）作为两种重要的宽带隙半导体材料，近年来受到了广泛的关注和深入的研究。氧化锌的禁带宽度约为3.37e