基于GaNHEMT的X波段高功率密度单片集成功率放大器的创新设计与性能优化

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，5G通信、雷达探测等领域对高频高功率放大器的需求日益增长。在5G通信中，为实现高速率、大容量的数据传输，基站需要具备高功率、高效率的射频放大器，以确保信号能够在长距离内有效传输，满足海量用户的通信需求。在雷达领域，无论是军事雷达对远距离目标的精确探测，还是民用雷达如气象雷达、空中交通管制雷达对目标的监测，都依赖于高功率放大器来放大发射的雷达波，以提高探测距离和分辨率。

在众多半导体器件中，GaNHEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）凭借其独特的优势脱颖而出