第1页，共27页，星期日，2025年，2月5日缺陷的含义：通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变称为晶体的结构缺陷。理想晶体：质点严格按照空间点阵排列。实际晶体：存在着各种各样的结构的不完整性。研究缺陷的意义：由于缺陷的存在，才使晶体表现出各种各样的性质，使材料加工、使用过程中的各种性能得以有效控制和改变，使材料性能的改善和复合材料的制备得以实现。因此，了解缺陷的形成及其运动规律，对材料工艺过程的控制，对材料性能的改善，对于新型材料的设计、研究与开发具有重要意义。
缺陷对材料性能的影响举例:
材料的强化，如钢——是铁中渗碳
陶瓷材料的增韧
半导体掺杂第2页，共27页，星期日，2025年，2月5日本章主要内容：§2.1晶体结构缺陷的类型§2.2点缺陷§2.3线缺陷§2.4面缺陷§2.5固溶体§2.6非化学计量化合物第3页，共27页，星期日，2025年，2月5日掌握缺陷的基本概念、分类方法；掌握缺陷的类型、含义及其特点；熟练书写点缺陷的缺陷反应方程式、化学平衡方法计算热缺陷的浓度；本章要求掌握的主要内容：第4页，共27页，星期日，2025年，2月5日2.1晶体结构缺陷的类型分类方式：几何形态：点缺陷、线缺陷、面缺陷等形成原因：热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷等第5页，共27页，星期日，2025年，2月5日一、按缺陷的几何形态分类本征缺陷杂质缺陷点缺陷零维缺陷线缺陷一维缺陷位错面缺陷二维缺陷小角度晶界、大角度晶界挛晶界面堆垛层错体缺陷三维缺陷包藏杂质沉淀空洞第6页，共27页，星期日，2025年，2月5日1.点缺陷（零维缺陷）PointDefect?缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺陷的尺寸都很小。包括：空位（vacancy）间隙质点（interstitialparticle）错位原子或离子外来原子或离子（杂质质点）（foreignparticle）双空位等复合体点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关。第7页，共27页，星期日，2025年，2月5日NowWhatDoYouSee?VacancyInterstitial第8页，共27页，星期日，2025年，2月5日2.线缺陷（一维缺陷）位错(dislocation)指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷，即缺陷尺寸在一维方向较长，另外二维方向上很短。如各种位错（dislocation），如图所示。线缺陷的产生及运动与材料的韧性、脆性密切相关。第9页，共27页，星期日，2025年，2月5日刃型位错第10页，共27页，星期日，2025年，2月5日GHEF刃型位错示意图：(a)立体模型;(b)平面图晶体局部滑移造成的刃型位错第11页，共27页，星期日，2025年，2月5日螺型位错第12页，共27页，星期日，2025年，2月5日CBAD(b)螺型位错示意图:（a）立体模型；（b）平面图ABCD(a)第13页，共27页，星期日，2025年，2月5日螺型位错示意图第14页，共27页，星期日，2025年，2月5日3.面缺陷面缺陷又称为二维缺陷，是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷，即缺陷尺寸在二维方向上延伸，在第三维方向上很小。如晶界、表面、堆积层错、镶嵌结构等。面缺陷的取向及分布与材料的断裂韧性有关。第15页，共27页，星期日，2025年，2月5日面缺陷－晶界第16页，共27页，星期日，2025年，2月5日晶界示意图亚晶界示意图第17页，共27页，星期日，2025年，2月5日晶界:晶界是两相邻晶粒间的过渡界面。由于相邻晶粒间彼此位向各不相同，故晶界处的原子排列与晶内不同，它们因同时受到相邻两侧晶粒不同位向的综合影响，而做无规则排列或近似于两者取向的折衷位置的排列，这就形成了晶体中的重要的面缺陷。亚晶界:实验表明，在实际金属的一个晶粒内部晶格位向也并非一致，而是存在一些位向略有差异的小晶块（位向差一般不超过2°)。这些小晶块称为亚结构。亚结构之间的界面称为亚晶界。第18页，共27页，星期日，2025年，2月5日面缺陷－堆积层错
面心立方晶体中的抽出型层错(a)和插入型层错(b)第19页，共27页，星期日，2025年，2月5日