基本信息
文件名称：基于溶液法6英寸SiC晶体的生长环境及工艺优化研究.pdf
文件大小：11.34 MB
总页数：83 页
更新时间：2025-09-28
总字数：约10.8万字
文档摘要
摘要
碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的重要代表，在耐高温、高频、耐高
压和抗辐射等方面展现出卓越的性能，因此在电子和功率设备领域具备广阔的应
用前景。目前，制备SiC晶体的主流方法是物理气相传输法，然而，该方法制备
的SiC晶体缺陷较多。相较之下，溶液法生长SiC晶体具有高质量和容易扩径的优
势，因此备受关注。本文研究的目的在于改善溶液法生长6英寸4H-SiC晶体的速
度和表面质量。为达成此目标，建立了相应的数值模型，并运用数值模拟对SiC
晶体的生长环境、籽晶与坩埚旋转工艺进行了优