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文件名称:深亚微米CMOS集成电路片上无源器件:仿真、测试、参数提取与模型构建的深度剖析.docx
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更新时间:2025-09-29
总字数:约3.13万字
文档摘要

深亚微米CMOS集成电路片上无源器件:仿真、测试、参数提取与模型构建的深度剖析

一、绪论

1.1研究背景与意义

随着通信技术和电子技术的飞速发展,集成电路(IC)产业迎来了蓬勃发展的黄金时期。从最初简单的电子管电路,到晶体管电路,再到如今高度集成化的大规模、超大规模集成电路,集成电路的性能不断提升,尺寸不断缩小,成本也大幅降低。这一发展历程深刻地改变了人们的生活方式,推动了通信、计算机、消费电子等众多领域的革新。例如,智能手机的出现,集通话、短信、互联网浏览、拍照、娱乐等多种功能于一身,其背后正是高度集成的集成电路技术在支撑。

在集成电路中,片上无源器件扮演着举足轻重的角色。片上无源器件主要