共振隧穿二极管与高电子迁移率晶体管协同驱动的高速集成电路：工艺、设计与性能突破

一、绪论

1.1研究背景与意义

1.1.1研究背景

在信息技术飞速发展的当下，高速集成电路已成为推动各领域进步的核心力量。从通信领域的5G乃至未来的6G通信，到人工智能领域的深度学习与大数据处理，从高性能计算的超级计算机到消费电子的智能手机与平板电脑，高速集成电路的身影无处不在。随着5G通信技术的普及，其对数据传输速率和处理速度提出了极高的要求。在5G网络中，基站与终端设备之间需要实时传输海量的数据，如高清视频、虚拟现实（VR）/增强现实（AR）内容等。这就要求集成电路能够快速处理这些数据，以