纤锌矿氮化物量子阱电子迁移率：应变与压力调制下的深入剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的大家族中，纤锌矿氮化物量子阱凭借其独特的物理性质，占据着举足轻重的地位。纤锌矿氮化物半导体，如氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）及其合金等，具备一系列优异特性，包括大禁带宽度、高临界场强、大热导率、高饱和漂移速度以及良好的稳定性。这些特性使得它们成为制作高频大功率器件的理想材料，在现代电子技术中发挥着关键作用。

以GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）为例，它是当前电子器件领域的研究热点之一。而纤锌矿氮化物量子阱正是GaN-HEMT的基本结构单元，其内部的强自发和压电极化效