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文件名称:探寻亚波长分辨光刻:介质特性剖析与光刻方法创新.docx
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总页数:28 页
更新时间:2025-09-29
总字数:约3.49万字
文档摘要
探寻亚波长分辨光刻:介质特性剖析与光刻方法创新
一、绪论
1.1研究背景与意义
在当今科技飞速发展的时代,集成电路作为现代电子设备的核心组成部分,其制造技术的进步对整个科技产业的发展起着至关重要的推动作用。而光刻技术作为集成电路制造的关键工艺,始终处于半导体技术发展的前沿。随着集成电路特征尺寸不断缩小,对光刻分辨率的要求也越来越高,亚波长分辨光刻技术应运而生,成为了当前光刻领域研究的热点。
光刻技术的发展历程见证了科技的不断进步。自20世纪50年代光刻技术开始应用于半导体工业以来,其分辨率不断提高,从最初的微米级逐渐发展到如今的纳米级。在这一过程中,光刻技术经历了多次重大变革,从紫外