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文档摘要

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探秘ZnO微纳米结构：制备、掺杂与性能的多维度研究

一、引言

1.1ZnO微纳米结构研究背景与意义

在当今材料科学领域，半导体材料凭借其独特的电学性能，成为推动电子技术、光电子技术等众多领域飞速发展的关键力量。其中，ZnO作为一种重要的宽禁带半导体材料，以其独特的物理性质和化学稳定性，在众多领域展现出巨大的应用潜力，吸引了科研工作者的广泛关注。

ZnO晶体在自然界中以纤锌矿结构最为常见，其室温下的禁带宽度约为3.37eV，激子结合能高达60meV。这种较大的激子结合能使得ZnO在室温下能够实现高效的激子复合发光，为其在光电器件领域的应用奠定了坚实基础。与其他常见的半导体材料相