AlGaN/GaNHEMT退化机制剖析与抑制策略探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代科技的飞速发展，电子器件的性能和可靠性成为推动各领域进步的关键因素。在众多半导体器件中，AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）凭借其卓越的性能，如高电子迁移率、高饱和漂移速度、宽禁带宽度以及高击穿电场等特性，在射频、微波和功率电子等领域展现出巨大的应用潜力，成为研究热点。

在5G/6G通信系统中，AlGaN/GaNHEMT被广泛应用于基站的射频功率放大器。其高功率密度和高效率的特性，能够满足5G/6G通信对高速率、大容量数据传输的需求，有效提升信号覆盖范围和传输质量。在雷