摘要

在微电子封装行业，引线键合是一项成熟且应用广泛的技术，其中金属键合

引线作为引线键合技术的关键材料，对产品的服役寿命有着重要影响。近年来，

铜键合线因价格低廉、导电导热性好、强度高等优点引起了行业人员的关注，但

是易氧化、存储时间短等问题也限制了其在封装行业的广泛使用。经过研究发现，

在铜键合线表面镀钯能够有效改善这些问题，但是钯层厚度的优化控制问题并未

得到根本解决。本文基于三种不同镀钯厚度（80、100、120nm）的铜基键合线，

研究了钯层厚度对键合线的性能、键合界面金属间化合物特性