Si基底取向对ZnO:Al薄膜结构和性能影响的深度剖析

一、绪论

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，光电器件作为现代信息技术的关键组成部分，广泛应用于通信、显示、能源等诸多领域，对推动社会进步和经济发展发挥着至关重要的作用。在众多用于光电器件制造的材料中，ZnO:Al薄膜凭借其独特的物理性质和优异的性能，逐渐成为研究的焦点和光电器件领域的关键材料之一。

ZnO是一种直接宽带隙半导体材料，室温下禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV。这种特性使得ZnO在光电器件应用中展现出巨大的潜力，例如在紫外光探测器中，能够有效地对紫外光进行探测和响应；在发光二极管（