半导体二极管图片第30页，共66页，星期日，2025年，2月5日15.3.2伏安特性正向O0.40.8U/VI/mA80604020-50-25I/μA-20-40反向死区电压击穿电压半导体二极管的伏安特性是非线性的。第31页，共66页，星期日，2025年，2月5日正向O0.40.8U/VI/mA80604020-50-25I/μA-20-40反向死区电压击穿电压死区电压：硅管：0.5伏左右，锗管：0.1伏左右。正向压降：硅管：0.6~0.7伏左右，锗管：0.2~0.3伏。1.正向特性第32页，共66页，星期日，2025年，2月5日反向电流：很小。硅管0.1微安锗管几十个微安反向击穿电压U（BR）:几十伏以上。2.反向特性正向O0.40.8U/VI/mA80604020-50-25I/μA-20-40反向死区电压击穿电压第33页，共66页，星期日，2025年，2月5日15.3.3主要参数1.最大整流电流IOM：二极管长时间使用时，允许流过的最大正向平均电流。2.反向工作峰值电压URWM:保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压。3.反向峰值电流IRM:二极管上加反向工作峰值电压时的反向电流值。第34页，共66页，星期日，2025年，2月5日主要利用二极管的单向导电性。可用于整流、检波、限幅、元件保护以及在数字电路中作为开关元件。15.3.4应用举例返回例15.3.1R和C构成一微分电路。画出输出电压的波形。设++++----u1uRu0CRRLDu1UtuRu0tt第35页，共66页，星期日，2025年，2月5日例15.3.2:图中电路，输入端A的电位VA=+3V，B的电位VB=0V，求输出端Y的电位VY。电阻R接负电源-12V。-12VAB+3V0VDBDAY解：DA优先导通，DA导通后，DB上加的是反向电压，因而截止。VY=+2.7VDA起钳位作用，DB起隔离作用。第36页，共66页，星期日，2025年，2月5日15.4稳压管一种特殊的面接触型半导体硅二极管。它在电路中与适当数值的电阻配合后能起稳定电压的作用。稳压二极管亦称齐纳二极管(ZenerDiodes)，与一般二极管不同之处是它正常工作在PN结的反向击穿区。因其具有稳定电压作用，故称为稳压管（VoltageRegulators）。1.稳压管表示符号：第37页，共66页，星期日，2025年，2月5日正向+-反向+-IZUZ2.稳压管的伏安特性：3.稳压管稳压原理：稳压管工作于反向击穿区。稳压管击穿时，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压变化很小。利用这一特性，稳压管在电路中能起稳压作用。稳压管的反向特性曲线比较陡。反向击穿是可逆的。U/VI/mA0IZIZMUZ第38页，共66页，星期日，2025年，2月5日4主要参数（2）电压温度系数（1）稳定电压UZ稳压管在反向击穿后稳定工作电压值。说明稳压管受温度变化影响的系数（3）动态电阻rZ稳压管端电压的变化量与相应的电流变化量的比值第39页，共66页，星期日，2025年，2月5日管子不致发生热击穿的最大功率损耗。PZM=UZIZM（5）最大允许耗散功率PZM是稳压管工作时的参考电流数值。工作电流若小于稳定电流IZ，稳压性能较差；工作电流若大于稳定电流，稳压性能较好，但是要注意管子的功率损耗不要超出允许值。（4）稳定电流IZ最大稳定电流IZM:稳压管正常工作时允许通过的最大反向电流。第40页，共66页，星期日，2025年，2月5日+_UU0UZR例题稳压管的稳压作用当UUZ时,电路不通；当UUZ大于时,稳压管击穿此时选R，使IZIZM返回第41页，共66页，星期日，2025年，2月5日15.5.1基本结构15.5.2电流分配和放大原理15.5