深度剖析：3nmGAAFET工艺研发中的工艺挑战与解决方案模板

一、深度剖析：3nmGAAFET工艺研发中的工艺挑战与解决方案

1.晶体管尺寸极限挑战

2.晶体管栅极结构设计

3.制造过程中的缺陷控制

4.热管理

5.成本问题

二、3nmGAAFET工艺研发中的关键材料与技术

2.1高迁移率半导体材料

2.2高精度光刻技术

2.3新型栅极结构设计

2.4缺陷检测与修复技术

2.5热管理技术

三、3nmGAAFET工艺中的工艺流程优化与挑战

3.1材料制备与处理

3.2光刻工艺

3.3蚀刻与沉积工艺

3.4化学气相沉积（CVD）技术

3.5金属化与互联技术

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