单晶氧化物势垒磁性隧道结：微制备工艺与磁电阻效应的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，电子器件不断朝着小型化、高性能化的方向迈进，对存储和处理数据的速度、效率以及能耗等方面提出了更高的要求。磁性隧道结（MagneticTunnelJunction，MTJ）作为自旋电子学领域的核心器件之一，因其独特的磁电阻效应，在磁存储、传感器、自旋逻辑器件等众多领域展现出了巨大的应用潜力，成为了近年来凝聚态物理和材料科学领域的研究热点。

磁性隧道结通常由两个铁磁层和夹在中间的一层非磁性绝缘层组成，这种三明治结构利用了量子隧穿效应。当电子在两个磁性电极之间的绝缘层中隧穿时，隧