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文件名称:MOCVD法制备GaMnN薄膜及其磁性特征的深度剖析.docx
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更新时间:2025-10-06
总字数:约2.81万字
文档摘要

MOCVD法制备GaMnN薄膜及其磁性特征的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息技术飞速发展的时代,电子学领域的研究不断寻求突破,以满足日益增长的高性能、低功耗器件需求。自旋电子学(Spintronics)作为一门新兴的交叉学科,应运而生并迅速成为研究热点。它打破了传统电子学仅利用电子电荷特性的局限,创新性地将电子的自旋和磁矩纳入研究范畴,开启了电子学研究的新篇章。自旋电子学的诞生,源于1980年在固态器件中发现的与电子自旋有关的电子输运现象,随后,1985年约翰逊和西尔斯比观察到铁磁金属向普通金属注入极化电子,以及1988年法国科学家Fert小组发现的巨磁电