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文件名称:多孔低介电常数氧化硅陶瓷材料制备工艺与性能优化研究.docx
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更新时间:2025-10-05
总字数:约2.96万字
文档摘要

多孔低介电常数氧化硅陶瓷材料制备工艺与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技迅猛发展的浪潮中,电子设备的性能提升成为了推动各领域进步的关键因素。从通信领域的5G乃至未来6G网络的建设,到航空航天领域对飞行器性能的极致追求,材料科学在其中扮演着举足轻重的角色。多孔低介电常数氧化硅陶瓷材料,作为一种新型的高性能材料,因其独特的物理性质,在众多高科技领域展现出了巨大的应用潜力。

在5G通信时代,信号的高速传输和稳定接收是核心需求。5G网络相较于4G,具有更高的频率、更大的带宽和更低的延迟,这就要求通信设备中的材料具备优异的高频性能。多孔低介电常数氧化硅陶瓷材料的低