深亚微米集成电路Cu低k互连结构温度特性的多维度剖析与优化策略

一、绪论

1.1研究背景

随着信息技术的飞速发展，集成电路作为现代电子设备的核心部件，其性能和尺寸一直是研究的重点。自半导体集成电路问世以来，经历了小规模（SSI）、中规模（MSI）、大规模（LSI）、超大规模（VLSI）和巨大规模（ULSI）等时代，每一次技术进步都以最小特征尺寸的缩小、硅片尺寸的增加及芯片集成度的提高为标志，其中特征尺寸的缩小最为关键。在集成电路技术不断发展的进程中，当进入深亚微米阶段后，互连线的问题日益凸显。随着特征尺寸的减小，封装密度和工作频率不断提高，芯片上互连线的截面积和线间距持续下降，这使得互连线电