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文件名称:2025年5G基站芯片3nmGAAFET工艺可靠性评估报告.docx
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总页数:18 页
更新时间:2025-10-07
总字数:约1.19万字
文档摘要
2025年5G基站芯片3nmGAAFET工艺可靠性评估报告范文参考
一、2025年5G基站芯片3nmGAAFET工艺可靠性评估报告
1.15G基站芯片技术发展背景
1.23nmGAAFET工艺概述
1.33nmGAAFET工艺在5G基站芯片中的优势
1.43nmGAAFET工艺在5G基站芯片中的挑战
二、3nmGAAFET工艺在5G基站芯片中的应用与挑战
2.13nmGAAFET工艺在5G基站芯片中的应用现状
2.23nmGAAFET工艺在5G基站芯片中的性能提升
2.33nmGAAFET工艺在5G基站芯片中的可靠性挑战
2.43nmGAAFET工艺在5G基站