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文档摘要

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表面处理对GaN荧光光谱的影响：机理与应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电器件领域，氮化镓（GaN）凭借其卓越的性能，已然成为核心材料之一。作为一种宽禁带半导体，GaN的禁带宽度达到3.4电子伏特，拥有出色的物理和化学性质。这种特性使得GaN在高温、高频以及高功率的工作环境下，依然能够稳定运行，展现出其他传统半导体材料难以企及的优势。

在半导体激光器（LD）中，GaN的应用使得器件能够实现更高的输出功率和更短的波长，为光通信、光存储等领域带来了新的发展机遇。在发光二极管（LED）方面，基于GaN材料制造的LED，不仅发光效率高，而且能够覆盖从紫外到蓝光等多