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文档摘要

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InGaN化合物光电子器件：从原理、现状到挑战与突破

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电子领域，InGaN化合物光电子器件凭借其独特优势占据着关键地位。随着信息技术的飞速发展，通信、照明、显示等行业对光电子器件的性能和功能提出了更高要求，InGaN化合物光电子器件的重要性愈发凸显。

在通信领域，随着5G乃至未来6G技术的推进，对高速、高效的光通信器件需求剧增。InGaN基激光器和探测器等光电子器件能够实现高速光信号的发射与探测，为光通信系统提供了更高的数据传输速率和更远的传输距离。比如，在长距离光纤通信中，InGaN基激光器作为光源，其高功率、窄线宽等特性能够有效减少