超深亚微米工艺下基于模型的光学邻近效应修正方法的深度剖析与实践

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，集成电路作为现代电子设备的核心部件，其性能和集成度不断提升。在这一发展进程中，超深亚微米工艺发挥着关键作用，成为推动集成电路技术进步的重要力量。自20世纪末以来，超深亚微米工艺得到了迅猛发展，特征尺寸不断缩小。从最初的180nm工艺节点，到如今的7nm甚至更小尺寸，芯片上能够集成的晶体管数量呈指数级增长。例如，在7nm工艺下，每平方毫米的芯片面积上可以集成超过1亿个晶体管，这使得芯片的计算能力和存储容量大幅提升，为人工智能、大数据处理、5G通信等新兴技