探索ZnO薄膜择优取向生长制备与氧化物薄膜生长的分子动力学模拟研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代材料科学与光电器件技术迅猛发展的浪潮中，ZnO薄膜作为一种极具潜力的功能材料，以其独特的物理性质和广泛的应用前景，吸引了科研工作者的广泛关注。ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族宽禁带直接带隙化合物半导体，室温下禁带宽度约为3.3eV，具有较大的激子束缚能（60meV）。这种特殊的能带结构赋予了ZnO薄膜卓越的光学性能，使其在紫外光区域展现出高透明性和强吸收特性，在可见光范围内也具备较高的透明度，这一特性使其成为透明导电电极的理想材料，在触摸屏、太阳能电池和液晶显示器等光电器件中发挥着