钠、钴共掺氧化锌稀磁半导体薄膜：制备工艺与性能关联探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，对半导体材料性能的要求不断提高，稀磁半导体（DilutedMagneticSemiconductors，DMS）应运而生，成为材料科学领域的研究热点之一。稀磁半导体是指在传统半导体中引入磁性离子，使其同时具备半导体的电学特性和磁性材料的磁学特性，这种独特的复合特性为开发新型电子器件提供了可能，有望推动自旋电子学、量子计算等前沿领域的发展。

在众多稀磁半导体材料中，氧化锌（ZnO）基稀磁半导体由于其自身的优异性能而备受关注。ZnO是一种直接宽带隙半导体，室温下带隙宽度约为3