衬底材料与P+保护环对SBDESD性能影响的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子领域中，肖特基二极管（SchottkyBarrierDiode，SBD）凭借其独特的性能优势，占据着不可或缺的地位。SBD是利用金属与半导体之间的接触势垒进行工作的单极、多数载流子器件，其正向导通压降较低，这使得在电流导通时的能量损耗较小，能有效提高电路的能源利用效率；同时，SBD还具备良好的频率特性，能够在高频环境下稳定工作，满足了如高速开关电源（SMPS）、平板电视、变频器、驱动器等众多高频电路应用场景的需求，常被用作高频、大电流功率整流二极管、保护二极管，或者在微波通信等电路中用