氧化物浓磁半导体与反铁磁金属自旋极化输运的特性、差异及应用前景研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的迅猛发展，信息时代对电子器件的性能提出了越来越高的要求，传统的微电子学逐渐接近其物理极限，如功耗过大、尺寸难以进一步缩小等问题日益凸显。在这样的背景下，自旋电子学应运而生，它作为一门新兴的交叉学科，将电子的自旋属性与传统的电荷属性相结合，为电子学领域带来了全新的研究方向和发展机遇。

自旋电子学的兴起可以追溯到20世纪80年代，1988年巨磁电阻（GiantMagnetoresistance，GMR）效应的发现，成为了自旋电子学发展的重要里程碑。法国科学家Fert小组在